Fachinfo / GRUNDLAGEN / GDO(E)S

Das Funktionsprinzip

Technische Grundlage der metall- und oberflächenanalytischen Verfahren ist eine Gasentladungslampe als Zerstäubungs- und Anregungsquelle, in der die Probe durch Argonionen annähernd planparallel abgesputtert wird. Der Sputterprozeß und die Anregung erfolgt wie in Abbildung 1 dargestellt:

Argonteilchen werden durch Anlegen einer Gleichspannung ionisiert (1) und aufgrund der Potentialdifferenz auf die, als Kathode geschaltete Probe, beschleunigt (2,3). Dadurch werden Probeteilchen abgesputtert und im Plasma v. a. durch Elektronenstoß (5) angeregt (6). Die ausgesendeten Lichtquanten werden in einem optischen Emissionsspektrometer analysiert (7).

Die Fläche des Abtrages hängt vom gewählten Anodendurchmesser ab, der in der Regel 4 oder 2,5 mm beträgt.

Die Lichtquanten werden durch eine Linse auf ein holographisches Gitter abgebildet (Abbildung 2). Die Trennung der Wellenlängen erfolgt mit einer optischen Anordnung nach Paschen/Runge auf einem Rowlandkreis. Es ist somit möglich, die charakteristischen Spektrallinien aller Elemente gleichzeitig zu messen. Wird die Messung zudem zeitaufgelöst mit Hilfe eines Computersystems durchgeführt, so können die Konzentrationsveränderungen aller vorliegenden Elemente entlang der Tiefenachse durch eine Schicht erfaßt werden [3,4].

Auf der Basis der Entwicklungsarbeiten von A. Bengtson und seinen Mitarbeitern ist es heute möglich, zeitaufgelöste GDO(E)S-Intensitätsverläufe mit Hilfe einer Multimatrixkalibration in Konzentrations-Tiefenprofile zu transformieren. Eine derartige Kalibration trägt der Tatsache Rechnung, daß verschiedene Werkstoffe unterschiedliche Zerstäubungsraten aufweisen. Über eine Normierung der Elementgehalte auf 100 % erhält man die Konzentrationen der Elemente einer unbekannten Probe. Die Tiefe wird ermittelt durch den Vergleich der aktuellen Sputterrate mit der Sputterrate von Reineisen [2,4].

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Vor- und Nachteile

• Tiefenprofilanalysen runder und gekrümmter Proben sind möglich!
•  Bestimmung aller Elemente (incl. H) möglich
•  Niedrige Nachweisgrenzen (0,1 - 50 ppm; Ausnahme Cl und F)
•  Hohe Sputterrateà Tiefenprofilanalysen bis 100 µm
•  Kostengünstige Anschaffung, geringe Analysenkosten im Vergleich mit anderen oberflächenanalytischen Verfahren
•  Chemische Analyse des Grundmateriales möglich+ Reproduzierbarkeit< 1% rsd+ Tiefenauflösung: ca. 10 % der abgetragenen Tiefe  (in Abhängigkeit von der Oberflächenrauheit)

Nachteile quantitativer GDOS-Tiefenprofilanalysen:

•  Laterale Auflösung >2 mm
•  Verfügbarkeit von Eichstandards
•  Bindungszustände nur eingeschränkt nachweisbar

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Nichtleitende Schichten

Um durch den teilweise hohen Energieeintrag beim Sputterprozeß die Probenoberfläche nicht zu beschädigen können gepulste Entladungen verwendet werden. Dies führt zu deutlich verbesserter Tiefenauflösung durch Wahl der optimalen Anregungsbedingungen.

Hier finden sie ein » Beispiel « für die Analyse eines Polymers mit gepulster und nicht gepulster RF-Quelle

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Nachweisgrenzen:

Literatur:

Literaturliste

• ISO: "Surface chemical analysis - determination of thickness and chemical composition of zinc-based metallic coatings by glow discharge optical emission spectromerty" ;04/1999 » lesen «   (Größe 247 KB)

• A. Bengtson: "Quantitative depth profile analysis by glow discharge";GB 1994 » lesen «   (Größe 476 KB)

• T. Asam: Schnelle Tiefenprofilanalytik mit der Glimmentladungsspektroskopie ; VDI-Seminar "Angewandte Oberflächen-,Grenzflächen- und Dünnschichtanalytik"; Mai 2000 » lesen «   (pdf Datei, Größe 1,37 Mb)

• Herr Dr. W. Verscharen: U,I-Abhängigkeit der Sputtergeschwindgkeit ; November 2002 » lesen «

• Veröffentlichungen:
  Prüfung von Randschichten - Übersicht
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Tiefenauflösung

Die Tiefenauflösung ist bei allen sputternden Analyseverfahren ein entscheidendes Kriterium. Oft wird behauptet die GDOS kann "dünne" Schichten nicht mehr richtig auflösen. In dem unten aufgeführten Beispiel ist die Analyse von 10 Wechselschichten Cu und Cr/Ni mit einer Gesamtdicke von 1,6 Mikrometer aufgeführt.

Alle Schichten lassen sich vergleichsweise sehr gut auflösen. Bemerkenswert ist v. a. dass die tieferliegenden Schichten nicht weniger schlecht aufgelöst werden können als Schichten an der Oberfläche der Probe.

60 nm mit 3 nm / Schicht

Quelle: Spectruma Analytik GmbH

Die Tiefenauflösung von sehr dünnen Schichten wie der hier dargestellten TiN/TiAlN/…TiAlN/TiNH/Si-Schichten mit einer Schichtdicke von ca. 3 nm pro Schicht zeigt eindeutig die einzelnen Schichten mit den Verunreinigungen zwischen den Schichten (Elemente H und O).

Quelle: Spectruma Analytik GmbH

Halbleiterschicht mit GaN Zwischenschicht
An der Oberfläche einer 100 nm dicken Halbleiterschicht bestehend aus GaN befindet sich eine Mg-Anreicherung von ca. 250 ppm. Darunter lässt sich eine Diffusionssperre bestehend aus Al mit einer Schichtdicke von 4 nm erkennen.

Adapter für Drähte in der Universalmeßkammer

Einfacher Probenwechsel Definierte Probenpräparation Unterschiedliche Probendurchmesser möglich

Cu-beschichteter Stahldraht

Ein Draht mit einem Durchmesser von 1 mm wurde mit Cu beschichtet. Nach wenigen Wochen löste sich die Schicht ab. GDOS-Tiefenprofilanalysen mit einem neu entwickelten Drahtadapter zeigen als Ursache eine ausgeprägte S-Anreicherung im Interface.

Link auf pdf Datei    „Applikationsbericht“

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Quantifizierung

1. Durchführung einer Kalibration mit zertifizierten Proben mit bekannter Sputterrate (Sputterratenkorrektur)
2. Berechnung der Konzentrationen aller wesentlichen Elemente jedes Volumensegmentes
3. Normierung auf 100 %
4. Berechnung der Dichte
5. Berechnung der Dicke jedes Volumensegmentes
7. Addieren aller Volumensegmente

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